Одним из важнейших свойств графена является высокая мобильность электронов — они движутся намного быстрее, чем в большинстве используемых сегодня полупроводников. Благодаря этому можно достигать частот в 100–1000 ГГц, которые относятся к терагерцевому диапазону. В свою очередь, эта технология сможет позволить в 10 раз ускорить цифровые коммуникации, позволив им переносить гораздо больше информации, чем это возможно сейчас.
     В Технологическом университете Чалмерса (Швеция) впервые показали, что транзисторные устройства на основе графена (G-FET) могут принимать и преобразовывать волны, в диапазоне между микроволновым и инфракрасным. Результаты исследования опубликованы в журнале IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques.
     Авторами было создано несколько примеров таких устройств. Одно из них это субгармонический резистивный смеситель с рабочей частотой 200 ГГц. Он базируется на интегрированном в кремний графеновом транзисторе, полученном методом осаждения из газовой фазы, и может применяться в быстродействующих беспроводных коммуникациях.
     Другой пример — детектор энергии на G-FET с гибкой полимерной подложкой — имеет такие интересные потенциальные приложения, как носимые терагерцевые сенсоры для мониторинга состояния здоровья или гибкие массивы датчиков интерферометрических изображений высокого разрешения для биомедицинской визуализации, камер наблюдения в охранных системах, удалённого контроля технологических процессов, материалов и упаковок.
     Сейчас ученые работают над заменой основы из кремния на другие 2D-материалы, что обещает ещё более улучшить производительность графеновых транзисторов.