http://subscribe.ru/group/kosmos-galaktiki-nlo-i-inoplanetyane/4081545/

Новый принцип создания компьютерной памяти

   Специалисты из Института микроэлектроники (Сингапур) предложили
новый принцип создания компьютерной памяти, основанной на современных
нанотехнологиях и свободно двигающихся частях, в качестве которых
используются микроскопические металлические диски, или челноки,
толщиной около 300 нм и длиной около 2 мкм.
   Челноки двигаются внутри металлической «клетки» почти цилиндрической
формы, ориентированной вертикально. Из-за незначительных размеров
челнока сила тяжести практически не оказывает на него никакого влияния
(челнок перемещается в вертикальной плоскости). Вместо этого движением
челнока управляют силы адгезии, действующие между ним и его металлической
«клеткой». Попав в верхнюю точку цилиндра, челнок замыкает электрическую
цепь между двумя электродами. Опускаясь вниз, он разрывает цепь, прерывая
электронный поток. Движение челнока вверх-вниз происходит под действием
разности потенциалов с использованием третьего электрода (затвора),
расположенного под «клеткой».
   Механический метод компьютерной памяти, не подвергающийся износу cо
скоростью переключения первого прототипа, превышающей 1 MГц. 
   Разработчики предлагают использовать это наноразмерное бинарное
позиционирующее устройство для кодирования цифровой информации.
   По их словам, силы адгезии с лёгкостью удерживают челнок в нужном
месте цилиндра даже в том случае, когда напряжения нет, что позволяет
сохранять информацию в течение долгого времени. 
   Более того, экспериментальным путём обнаружено, что повышение
температуры — обычная причина потери данных в случае памяти на
электронном принципе — увеличивает время надёжного сохранения информации
за счёт некоторого размягчения металла, из которого сделаны «клетка» и
челнок, что приводит к усилению адгезии.
   Способность работать при высоких температурах является одним из
ключевых требований для военных и аэрокосмических применений.
   Несмотря на механический (а не электронный) принцип работы, новый
тип памяти не подвергается износу (нет гнущихся деталей вроде кронштейнов),
а скорость переключения первого прототипа превышает 1 МГц.